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    开关电源设计全过程笔记(下)

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    发表于 2022-5-7 16:07:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    Part3 仿真验证

    计算机仿真不仅可以取代系统的许多繁琐的人工分析,减轻劳动强度,避免因为解析法在近似处理中带来的较大误差,还可以与实物调试相互补充,最大限度的降低设计成本,缩短开发周期。

    本例采用经典的电流型控制器UC3843(与NCP1015控制原理类似),搭建反激变换器。其中,变压器和环路补偿参数均采用上文的范例给出的计算参数。

    仿真测试条件:低压输入(90VAC,双路满载)

    1.原理图

    17.png
    图17 仿真原理图

    2. 瞬态信号时域分析

    18.jpg

    从图18可以看出,最低Cbulk上的最低电压为97.3V,与理论值98V大致相符。

    19.jpg

    20.jpg

    21.jpg

    22.jpg

    23.jpg

    3. 交流信号频域分析

    24.jpg

    25.jpg

    26.jpg

    4. 动态负载波形测试

    测试条件:低压输入,满载,主路输出电流0.1A---1A---0.1A,间隔2.5ms,测试输出电压波形。

    27.jpg


    Part4 PCB设计指导

    1. PCB layout—大电流环路包围的面积应极可能小,走线要宽。

    28.jpg

    2. PCB layout—高频(di/dt、dv/dt)走线

    a. 整流二级,钳位吸收二极管,MOS管与变压器引脚,这些高频处,引线应尽可能短,layout时避免走直角;
    b. MOS管的驱动信号,检流电阻的检流信号,到控制IC的走线距离越短越好;
    c. 检流电阻与MOS和GND的距离应尽可能短。

    29.jpg

    3. PCB layout—接地

    初级接地规则:
    a. 所有小信号GND与控制IC的GND相连后,连接到Power GND(即大信号GND);
    b. 反馈信号应独立走到IC,反馈信号的GND与IC的GND相连。

    次级接地规则:
    a. 输出小信号地与相连后,与输出电容的的负极相连;
    b. 输出采样电阻的地要与基准源(TL431)的地相连。

    30.jpg

    Part5 PCB layout——实例


    31.jpg



    Part6 总结

    本文详细介绍了反激变换器的设计步骤,以及PCB设计时应当注意的事项,并采用软件仿真的方式验证了设计的合理性。同时,在附录部分,分别给出了峰值电流模式反激在CCM模式和DCM模式工作条件下的功率级传递函数。

    附录:峰值电流模式功率级小信号

    对CCM模式反激,其控制到输出的传函为:

    g40.png

    峰值电流模式的电流内环,本质上是一种数据采集系统,功率级传函由两部分Hp(s)和Hh(s)串联组成,其中

    g41.png

    Hh(s)为电流环电流采样形成的二阶采样环节(由Ray Ridley 提出):

    g42.png

    其中:

    g43.png

    上式中,PO为输出总功率,k为误差放大器输出信号到电流比较器输入的衰减系数,Vout1为反馈主路输出电压,Rs为初级侧检流电阻,D为变换器的占空比,n为初级线圈NP与主路反馈线圈Ns1 的匝比,m为初级电流上升斜率,ma为斜坡补偿的补偿斜率,Esr为输出电容的等效串联电阻,Cout是输出电容之和。

    注意:CCM模式反激变换器,从控制到输出的传函,由公式40可知,有一个右半平面零点,它在提升幅值的同时,带来了90°的相位衰减,这个零点不是我们想要的,设计时应保证带宽频率不超过右半平面零点频率的1/3;由公式41可知,如果不加斜坡补偿(ma=0),当占空比超过50%时,电流环震荡,表现为驱动大小波,即次谐波震荡。因此,设计CCM模式反激变换器时,需加斜坡补偿。

    对DCM模式反激,控制到输出的传函为:

    g43 (2).png

    其中:

    g44.png

    Vout1为主路输出直流电压,k为误差放大器输出信号到电流比较器输入的衰减系数,m为初级电流上升斜率,ma为斜坡补偿的补偿斜率,Idspeak为给定条件下初级峰值电流。

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