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    浅析晶振电路1MΩ电阻应用

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    发表于 2023-8-10 21:29:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    前言

    前两章和大家聊了 详解晶振的结构和制作流程详解晶振构造和工作原理,本章我们进入的探究晶振电路。

    在实际的产品电路设计中,我们会发现晶振电路,除了两个匹配电容之外,还偶尔会加一个并联的1M的电阻,经常我们会发出这样的疑问,为啥有些电路图中有这个电阻,有些电路图没有这个电阻?为啥要并联这个电阻?为啥电阻要选1M这个阻值?

    一、Pierce osillator ---皮尔斯振荡器

    我们都知道石英晶体振荡器可以起振的原理:芯片内部的电路与外围晶振和匹配电容组成皮尔斯振荡。如下图:

    1.png

    这个振荡电路很简单(一个反相器、一个电阻、晶体振荡器、两个匹配电容),并工作时比较稳定被广泛应用在时钟电路中。

    以上电路的工作稳定需要满足两个条件:1.在所需的振荡频率下,环路增益的乘积必须大于或等于1;2.环路周围的相移必须为0或者2π的整数倍。

    2.png

    二、反馈电阻RF的作用

    RF为反馈电阻,它主要是让反相器工作在放大区。

    3.png

    RF连接在VIN和VOUT之间,以便将放大器偏置VOUT=VIN并使其在线性区域,即以上阴影部分。而实际应用电路中很多没加这个电阻也能起振,原因是一般电路都有扰动信号,但是有些反相器不加这个电阻不能起振,因扰动信号不够强,有些外在因素晶振发生不起振的情况。

    三、RF的取值:

    4.png

    四、RF是否需要呢,什么情况下需要?怎么确定的?

    目前市面上很多芯片内部已经集成了RF,若查询芯片手册无法确认是否集成RF,可以通过以下方式测量:

    在未连接晶振,匹配电容时测下反相器的输入输出的电压;拖芯片内部集成了RF,则测得的输入输出引脚的电压是vcc/2左右;若芯片内部没集成RF,则反相器将被锁存,输入输出处于逻辑1或逻辑0的状态。

    5.png
    无源晶振并联一个1MΩ电阻电路图

    五、总结

    问题描述:

    在一些方案中,晶振并联1MΩ电阻时,程序运行正常,而在没有1MΩ电阻的情况下,程序运行有滞后及无法运行现象发生。

    原因分析:

    在无源晶振应用方案中,两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此,当发生程序启动慢或不运行时,建议给晶振并联1MΩ的电阻。

    这个1MΩ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区不存在增益, 而在没有增益的条件下晶振不起振。简而言之,并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗(-R),即提升了增益,缩短了晶振起振时间,达到了晶振起振更容易之目的。

    换一种说法,假设电路中无任何的扰动信号,晶振不可能起振。实际上反相门电路中许多电路不加这个电阻也能起振,因为一般的电路都有扰动信号,但有个别的反相门电路不加这个电阻就不能起振,因为扰动信号强度不够。

    需要指出的是,在低温环境下振荡电路阻抗也会发生变化,当阻抗增加到一定程度时,晶振就会发生起振困难或不起振现象。这时,我们也需要给晶振并联1MΩ电阻,建议为了增加振荡电路稳定性,给晶振同时串联一个100Ω的电阻,这样可以减少晶振的频率偏移程度。

    注:并联电阻不能太小,串联电阻不能太大。否则,在温度较低的情况下不易起振。

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