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本帖最后由 一路上 于 2023-8-26 19:21 编辑
前言
本篇给大家讲讲存储器的PCB设计,详细介绍一下DDR模块电路的PCB设计要如何布局布线。以RK3588为例,DDR接口速率最高达4266Mbps设计难度大;所以强烈建议PCB使用原厂提供的DDR模板和对应的DDR固件,DDR模板是经过严格的仿真和测试验证后发布的。
在单板PCB设计空间足够的情况下,优先考虑留出DDR电路模块所需要的布局布线空间;拷贝原厂提供的DDR模板,包含芯片与DDR颗粒相对位置、电源滤波电容位置、铺铜间距等完全保持一致。
如下8张图(从上至下),分别为:L1-L8层DDR电路走线示意图。
DDR设计部分
如果自己设计PCB,请参考以下PCB设计建议,强烈建议进行仿真优化,然后与原厂FAE进行确认,确认没问题以后再进行打样调试。
Part. 1:CPU管脚,对应的GND过孔数量,建议严格参考模板设计,不能删减GND过孔。8层通孔的PCB模板,CPU管脚GND过孔设计如下图所示:
黄色为DDR管脚信号,地管脚为红色。
Part. 2:信号换层前后,参考层都为GND平面时,在信号过孔25mil(过孔和过孔的中心间距)范围内需要添加GND回流过孔(黄色为DDR信号,红色为GND信号),改善信号回流路径,GND过孔需要把信号换层前后GND参考平面连接起来。
一个信号过孔至少要有一个GND回流过孔,尽可能增加GND回流过孔数量,可以进一步改善信号质量,如下图所示:
Part. 3:GND过孔和信号过孔的位置会影响信号质量,建议GND过孔和信号过孔交叉放置,如下图所示:
虽然同样是4个GND 回流过孔,4个信号过孔在一起的情况要避免,这种情况下过孔的串扰最大。
Part. 4:8层板建议D D R信号走第一层、第六层、第八层,DQ 、DQS、地址和控制信号、CLK信号都参考完整的GND平面,如果GND平面不完整,将会对信号质量造成很大的影响。
Part. 5:如下图所示,当过孔导致信号参考层破裂时,可以考虑用GND走线优化下参考层,改善信号质量。
Part. 6:绕线自身的串扰会影响信号延时,走线绕等长时,注意按下图所示。
蛇形线是Layout中经常使用的一-类走线方式。其主要目的就是为了时序匹配。设计者首先要有这样的认识:蛇形线会破坏信号质量,改变传输延时,布线时要尽量避免使用。但实际设计中,为了保证信号有足够的保持时间,或者减小同组信号之间的时间偏移,往往不得不故意进行绕线。走差分线的时候应该注意尽量增加平行线段的距离(S) ,一般要求至少大于3W。
Part. 7:在做等长时,需要考虑过孔的延时,如下图所示。
Part. 8:非功能焊盘会破坏铜皮,以及增大过孔的寄生电容,需要删除过孔的非功能焊盘,做无盘设计。
Part. 9:走线距离过孔越近,参考平面越差,走线距离过孔钻孔距离建议≧ 8 mil,有空间的地方增大间距。
Part. 10:调整过孔位置,优化平面的裂缝,不要造成平面割裂,起到改善回流路径的作用,如下图所示。
Part. 11:DQS、CLK、WCLK信号需要做包地处理,包地线或铜皮建议间隔≦400mil,打一个GND过孔,如下图所示。
Part. 12:对于VDD_DDR电源,DCDC区域电源换层时,建议打≧ 6个0503过孔。
Part. 13:对于VDDQ_DDR电源,DCDC区域电源换层时,建议打≧ 6个0503过孔。
Part. 14:对于VDD2_DDR电源,DCDC区域电源换层时,建议打≧ 6个0503过孔。
Part. 15:对于VDD1_1V8_DDR电源,电源平面换层时,建议至少打≧ 2个0402过孔。
Part. 16:每个电容焊盘建议至少一个过孔,对于0603或者0805封装的电容建议一个焊盘对应两个过孔,过孔的位置要靠近管脚放置,减小回路电感。
结语
DDR的设计一直以来都是很多设计者比较关心的地方,也是让很多工程师比较头疼的问题,首先DDR的相关理论及技术难点较多,比如timing、driverstrength、 ODT等概念都需要理解。
其次从layout角度来看 ,DDR不像串行总线一样,只有几对差分线,问题很容易定位;而DDR一旦出现问题,问题定位会成为一个棘手的问题,需要做大量的测试和试验。
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