功率器件IGBT工艺全流程

一路上

一、前言

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

• GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；
• MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
  

二、IGBT制造工艺流程

1.基板

2.B+注入

使用离子注入设备

3.绝缘膜形成

通过CVD形成掩膜

4.掩膜用绝缘膜

加工；通过刻蚀和去胶处理绝缘膜

5.P+注入

使用离子注入设备

6.形成沟槽

通过刻蚀形成沟槽

7.形成绝缘膜

通过CVD形成绝缘膜

8.绝缘膜加工

通过刻蚀和去胶处理绝缘膜

9.形成Emitter

电极；通过溅射或蒸镀形成电极

10.形成P+FS层

通过离子注入设备形成：P+FS层

11.形成B+　（Collector）

通过离子注入设备形成B+（Collector）

12.形成　Collector

通过溅射或蒸镀形成Collector

三、结语

以上是IGBT芯片制造工艺的基本流程，其中每个流程都需要高度的技术和设备支持，以保证芯片质量和性能的稳定和可靠。