逆变器死区补偿控制

一路上

前言

逆变器死区，是逆变器控制的比较细微的一个话题，主要是具体到逆变器控制的最后一环，也就是对IGBT的导通关闭控制上来，说白了，逆变器死区就是IGBT的死区，可以理解为IGBT有这么一个死区特性，导致了你必须采用一个死区补偿的策略，才可以达到你想要的目的。

死区效应产生

由于IGBT并不是理想开关器件，其开通时间和关断时间不是严格一致的。其实这里如果IGBT的开通延迟和关断延迟完全一样，那么也就不需要补偿了，原因就是上桥命令关断的时候，下桥命令打开，这时候两者的延迟是同步的，因此真正执行出来，也不会有上下桥同时打开的情况。

需要强调一下，射极电压Vge就是你的驱动芯片的控制命令，Vce是发射极电压就是说强电供电那段对强电负极的电压，如果Vce很大，说明没有IGBT导通，Vce很小，说明IGBT导通了。

死区危害

死区就是上下桥臂直通，使得电流回路不经过负载，直接与逆变器形成回路，极其危险。

死区解决方案

解决方法原理上也是很清晰的，在物理上判定其中一个IGBT要首先关断，然后在死区时间结束时再开通另外一个IGBT，但是你要考虑到你开启的时候也有延迟，所以这个控制命令要提提前一点发出来。否则的话出现上桥同时关闭的情况，真实要控制的IGBT导通 时间会不减少，扭矩精度、效率都要下降